Referˆencias 105
[45] D. B. T. Thoai, R. Zimmermann, M. Grundmann, e D. Bimberg, Phys. Rev. B 42,
5906 (1990).
[46] C. Monier, A. Freundlich, e M. F. Vilela, J. Appl. Phys. 84, 2713 (1999).
[47] J. Robertson, Applied Surface Science 190, 2 (2002).
[48] W. Magnus e W. Schoenmaker, J. Appl. Phys. 88, 5833 (2000).
[49] S. Mudanai, F. Li, S. B. Samavedam, P. J. Tobin, C. S. Kang, R. Nieh, J. C. Lee,
L. F. Register, e S. K. Banerjee, IEEE Electron Device Letters 23, 728 (2002).
[50] Y. Liang, J. Kulik, T. C. Eschrich, R. Droopad, Z. Yu, , e P. Maniar, Appl. Phys.
Lett. 85, 1217 (2004).
[51] H. Fujioka, J. Ohta, H. Katada, T. Ikeda, Y. Noguchi, e M. Oshima, Journal of
Crystal Growth 229, 137 (2001).
[52] X. Zhang, A. A. Demkov, H. Li, X. Hu, e Y. Wei, Phys. Rev. B 68, 125323 (2003).
[53] S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, e
R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998).
[54] X. Zhang, A. A. Demkov, H. Li, X. Hu, e Y. Wei, Phys. Rev. B 68, 125323 (2003).
[55] S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, e J. Ramdani, J. Vac. Sci. Technol.
A 19, 934 (2001).
[56] P. W. Peacock e J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 83, 5497 (2003).
[57] S. Sayan, T. Emge, E. Garfunkel, X. Zhao, L. Wielunski, R. A. Bartynki, D. Van-
derbilt, J. S. Suehle, S. Suzer, e M. B.-Holl, J. Appl. Phys. 96, 7485 (2004).
[58] J. Cazaux, Semicond. Sci. Technol. 13, 827 (1998).
[59] A. C. Tuan, T. C. Kaspar, T. Droubay, J. W. R. Jr., e S. A. Chambers, Appl. Phys.
Lett. 83, 3734 (2003).
[60] D. J. BenDaniel e C. B. Duke, Phys. Rev. 152, 683 (1966).
[61] T. A. S. Pereira, Propriedades Eletrˆonicas de Po¸cos Quˆanticos Baseados em Si,
Disserta¸c˜ao de mestrado, Universidade Federal do Cear´a, 2002.
[62] D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H.
Wood, e C. A. Burrus, Phys. Rev. Lett. 53, 2173 (1984).
[63] M. Morita, K. Goto, e T. Suzuki, Japanese J. Appl. Phys. 29, L1663 (1990).
[64] I. Vurgaftmanand, J. R. Meyer, e L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
[65] F. Bernardini, V. Fiorentini, e D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
[66] S. H. Park e S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).